Alliance Memory hat sein Angebot an mobilen CMOS-Hochgeschwindigkeits-Low-Power-SDRAMs um einen neuen LPDDR4X-Baustein mit On-Chip ECC erweitert. Als Feature der LPDDR4-SDRAMs der vierten Generation bietet der 8-Gb-Baustein AS4C256M32MD4V-062BAN im 200-Ball-FBGA-Gehäuse eine um ~50% niedrigere Leistungsaufnahme für eine höhere Energieeffizienz. Dies kommt vor allem durch eine längere Akkulaufzeit tragbaren Elektronikgeräten für den Consumer-, kommerziellen und industriellen Markt, darunter Smartphones, Smart Speaker und andere IoT-Geräte, die AI- und 5G-Technologien nutzen, zugute.

Der AS4C256M32MD4V-062BAN bietet eine höhere Effizienz für fortschrittliches Audio und ultrahochauflösendes Video in eingebetteten Anwendungen und liefert schnelle Taktraten von 1,6 GHz für extrem hohe Übertragungsraten von 3,2 Gbit/s. Für Automotive-Anwendungen - einschließlich ADAS-Systemen - arbeitet der AEC-Q100-qualifizierte Baustein in einem Temperaturbereich von -40°C bis +105°C.

Wichtige Spezifikationen und Vorteile:

• On-Chip ECC
• AEC-Q100-qualifiziert
• Low-Voltage-Betrieb von 6V/1,1V/1,8V
• Schnelle Taktraten von 1,6GHz
• Extrem hohe Übertragungsraten von 3,2Gbps
• Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +105°C
• Organisiert als zwei Kanäle pro Gerät (Acht interne x16-Bänke pro Kanal)
• Vollständig synchroner Betrieb
• Programmierbare Lese- und Schreibburstlängen von 16, 32 und ‘on the fly‘
• Wählbare Ausgangstreiberstärke
• On-Chip-Temperatursensor steuert die Self-Refresh-Rate
• Erhältlich im 200-Ball-FBGA-Gehäuse

Sie haben Fragen zum neuen LPDDR4X-Baustein von Alliance Memory? Die Neumüller Elektronik GmbH pflegt als autorisierter Distributor eine sehr enge Partnerschaft mit Aliance Memory und berät Sie gerne mit ihrer langjährigen Erfahrung bei der Auswahl der passenden Komponenten und möglichen Anpassungen. Sprechen Sie uns an!